发明专利
 

29. 应力致偏保偏光纤应力双折射值的测量方法。专利号：ZL 2004 1 0043789.5。
 

28. GaAs基InSb薄膜异质外延生长的模拟方法。专利号：ZL 200610010315.X。
 

27. Si基生长混合同素异型结构VO2薄膜的工艺。专利号：ZL 2006 1 0151058.1。
 

26. 脉冲激光沉积Si基VO2薄膜取向生长的方法。专利号：ZL 2006 1 0151072.1。
 

25. 不同应力区结构保偏光纤的拍长测算方法。专利号：ZL 200610151069.X。
 

24. GaAs基InSb薄膜的分子束外延生长方法。专利号：ZL 200610010308.X。
 

23. 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法。专利号：ZL 200910072199.8 。
 

22. 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法。专利号：ZL 200910072263.2。
 

21. 一种GaAs基InAs1xSbx多量子阱薄膜的分子束外延生长方法。专利号：200910073499.8。
 

20. 具有疏水性的硅表面陷光结构制备方法。专利号：ZL201010551140.X。
 

19. 一种基于金属纳米粒子催化的硅片减薄方法。专利号：ZL201110251150.6。
 

18. 用于太阳电池的多孔金字塔型硅表面陷光结构制备方法。专利号：ZL201110252280.1。

 

17. 利用银镜反应制备硅表面陷光结构的方法。专利号：ZL201110260398.9。

 

16. 一种硅表面纳米多孔减反射结构的制备方法。专利号：ZL201110261035.7。
 

15. 一种制备TiO2纳米花带的方法。专利号：ZL201210180449.1。
 

14. 一种花状微米结构氯化银颗粒的制备方法。专利号： ZL201210169981.3。
 

13. 树叶状氯化银微米结构的制备方法。专利号：ZL201210169982.8。
 

12. 一种粒径均匀的碳微米球材料的制备方法。专利号：ZL201210300689.0。
 

11. 一种低成本的碳纳米管阵列的制备方法。专利号：ZL201310008135.8。
 

10. 一种基于LSP效应陷光增效新型减反射结构的制备方法。专利号：ZL201310009297.3。
 

09. 一种利用银镜反应制备硅表面形貌可控纳米银粒子的方法。专利号：ZL201310064543.5。
 

08. 一种硅纳米线双层阵列结构材料的制备方法。专利号：ZL201210276363.9。
 

07. 一种表面修饰的由纳米片层组装的微米银球及其制备方法。专利号：ZL201310009307.3。
 

06. 一种ZnO纳米柱和ZnO纳米片层复合结构材料的制备方法。专利号：ZL201310008117.X。
 

05. 一种二氧化钛纳米多孔膜材料的制备方法。专利号：ZL201310008110.8。
 

04. 一种串状TiO2微米球材料及其制备方法。专利号：ZL201310253775.5。
 

03. 一种具有减反射特性的亚波长硅纳米线阵列的制备方法。专利号：ZL201310007946.6。
 

02. 一种基于LSP效应制备“弹坑状”多孔硅结构的方法。专利号：ZL201310182159.5。
 

01. 一种松塔状二氧化钛纳米材料的制备方法。专利号：ZL 201410108304.X。
 

实用新型专利
 

07. 光纤照明与LED灯互补照明系统。专利号：ZL201120552643.9。
 

06. 一种防盗防堵的下水道井盖。专利号：ZL201120587582.4。
 

05. 抽拉式太阳能新型手电筒。专利号：ZL 201220462755.X。
 

04. 一种光触媒车内挂饰。专利号：ZL 201220612560.9。
 

03. 一种用于立交桥下路面积水的微能源自供电无线预警系统。专利号：ZL 201220623883.8。
 

02. 一种照明控制系统及照明系统。申请号：201420773766.9。
 

01. 取暖装置。专利号：ZL 201520195045.9。